bokomslag Contribution a la Modelisation Des Tbh Si/Sige En Temperature
Skönlitteratur

Contribution a la Modelisation Des Tbh Si/Sige En Temperature

Collectif

Pocket

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  • 204 sidor
  • 2018
La prise en compte de l'effet de la température et en particulier de l'auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d'être exposées à différentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation précise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l'auto-échauffement, caractérisé par une élévation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu'il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en oeuvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée.

  • Författare: Collectif
  • Format: Pocket/Paperback
  • ISBN: 9786131500848
  • Språk: Franska
  • Antal sidor: 204
  • Utgivningsdatum: 2018-02-28
  • Förlag: Omniscriptum