Couches minces mtalliques et semiconductrices

Dans ce travail, nous avons effectu une tude thorique et numrique des proprits de transport lectronique dans des couches minces mtalliques et semiconductrices. Dans une premire partie, nous avons rappel les diffrents modles de conduction lectronique dans des couches minces et fils fins mtalliques. Puis, nous avons compar les diffrentes quations qui dcrivent l'volution de la rsistivit lectrique, en fonction de l'paisseur de la couche, du diamtre des joints de grains, du coefficient de transmission t et du coefficient de rflexion spculaire p. Ces rsultats thoriques sont compars aux rsultats exprimentaux obtenus sur les couches minces de cuivre. Dans une seconde partie, nous avons appliqu la mthode de Monte Carlo aux couches minces de Si-p, dans le modle des temps de relaxation et nous avons dtermin la vitesse des trous en rgime transitoire puis nous avons dduit la variation de la rsistivit lectrique et de la mobilit des trous en fonction de l'paisseur de la couche. La conductivit thermique des couche minces du silicium est galement tudie.