Couplage Excitons-Lumi re Dans Des H t rostructures En Gan Et Zno

Les semi-conducteurs grand gap sont utiliss pour fabrication d'metteurs de lumire dans le domaine spectrale UV-VIS. Matriaux comme GaN et ZnO prsentent des proprits excitoniques spciales: la force d'oscillateur est leve et l'nergie de liaison des excitons est grande. Due l'largissement inhomogne des excitons assez important dans les htrostructures, les rsonances des excitons sont larges, ce qui rend difficile et imprcise l'extraction de leur paramtres. Ce travail est consacr l'tude thorique et exprimentale des puits quantiques GaN/AlGaN et ZnO massif, base sur l'analyse de leurs spectres de rflectivit. Une technique d'analyse originale des spectres de rflectivit exprimentaux a t dveloppe et employe pour la dtermination de la force d'oscillateur des excitons dans les structures base de GaN et ZnO. Les paramtres obtenus ont t utiliss pour proposer des microcavits modles, ralises base de ces matriaux. Grce au rgime de couplage fort exciton-lumire dans ces structures, la condensation de Bose des polaritons dans les microcavits est possible jusqu' la temprature ambiante.