Dopage de Type P Du Zno

L'objectif de cette thse a t l'tude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, labors par la technique MOCVD. Les chantillons ont t caractriss par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures lectriques montrent que les couches dopes azote restent de type n mme aprs avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont nanmoins observes par photoluminescence et Raman : l'incorporation de l'azote se traduit par la prsence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observs par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s'incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l'ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons russi raliser des structures de diode ZnO:Sb/ZnO ayant les caractristiques de jonction PN.