Elaboration Des Alliages Gaasbi Sur Substrat GAAS Par Epvom

Ce travail est consacr l'tude de la croissance par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMtalliques pression atmosphrique de l'alliage GaAs1-xBix. Ce matriau, trs attrayant pour les applications dans l'infrarouge (IR), peut avoir un gap qui peut atteindre l'IR lointain suivant la composition x en Bi. Cette tude est commence par l'valuation de l'effet du Bi sur des surfaces GaAs ayant diffrentes orientations cristallines. Les caractrisations ont mis en vidence la formation d'lots de Bi de taille et de densit qui dpendent fortement des conditions de dpt. Une faible nergie d'adhsion du Bi hautes tempratures est marque. La deuxime tape est consacre l'optimisation de la croissance de l'alliage GaAsBi. Ces tudes ont montr le succs de l'pitaxie de GaAsBi de bonne qualit cristalline jusqu' une composition voisinant 4%. Ainsi, nous avons tabli les conditions optimales suivantes : une temprature de croissance relativement basse de l'ordre de 420C, un rapport V/III avoisinant 10 et un faible dbit de TMBi de l'ordre de 2 10-7 mole/min. Les couches obtenues sont thermiquement stables mme aprs un recuit 550C pendant 15 min.