Etude de la Fiabilite Des Oxydes Minces Dans Les Structures Mos

Ce mmoire traite de la fiabilit des composants MOS et des oxydes SiO2 ultra-minces. Le courant de fuite dans l'oxyde d aux contraintes lectriques est modlis par un effet tunnel assist par dfauts, le claquage mou (soft-breakdown) par un amincissement local de l'oxyde et les fuites basse tension comme un effet tunnel via des tats d'interface. Les dgradations suivent une loi d'acclration en VG et la probabilit de cration de dfauts est obtenue en fonction de l'nergie des porteurs. Puis la fiabilit du transistor lors de stress AC en porteurs chauds a t tudie. L'estimation quasi- statique de la dure de vie est applique au cas du transistor de passage et ses limitations sont pointes en cas de relaxation. Pour le procd, on a analys les dgts dans le volume du semi-conducteur et les courants de fuite induits par une implantation ionique haute nergie. Une mthodologie optimise de dtection des dfauts latents dus au Wafer Charging utilisant des injections brves de porteurs chauds est dcrite. Enfin, nous avons identifi par DLTS deux dfauts lis une contamination au Fer dans le Silicium (paire Fe-B et Fer interstitiel).