Halbleiter-Leistungsbauelemente

Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstck der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfhigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst mglich. Da fr deren Anwendung nicht nur die Vorgnge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstrungsmechanismen und Strungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Fr den Systementwurf werden leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet. Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhnge bei Transistoren und Thyristoren prziser dar. Sie bercksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergnzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.