Impact Des Perturbations lectromagn tiques Sur Les Composants Si/Sige

Cette travail propose une nouvelle mthodologie pour l'tude de la fiabilit des TBHs en technologie SiGe. L'originalit de cette tude vient de l'utilisation d'une contrainte lectromagntique efficace et cible l'aide du banc champ proche. Les caractrisations statiques ont montr la prsence des courants de fuite l'interface Si/SiO2.Ceci est attribu un phnomne de pigeage induit par des porteurs chauds. Ce phnomne a t abord par la modlisation physique en tudiant l'influence des piges d'interfaces sur la drive des performances. Afin de visualiser les dfaillances qui peuvent tre dtectes par microscopie, des observations en haute rsolution MET et des analyses EDS ont t prsentes. Ces analyses microscopiques ont mis en vidence les dgradations des couches de titane. Ces dgradations sont attribues un phnomne de migration de l'or (Au) vers le titane (Ti) due la forte densit de courant induite par vieillissement. Ces ractions Au-Ti provoquent une augmentation de la rsistivit des couches conductrices et expliquent une partie de la dgradation significative des performances dynamiques du TBH.