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Le but de ce travail est d'tudier par simulation les caractristiques de la cellule photovoltaque htrojonction base de CIGS et d'extraire les performances optimale pour la structure CdS/Cu(In,Ga)Se2. L'introduction du gallium la place de l'indium dans le compos CuInSe2 permet d'obtenir le CIGS et d'amliorer l'adaptation du gap la conversion photovoltaque. D'o notre intrt tudier les cellules solaires base de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) polycristallin et en couches minces, le CIGS qui pourra constituer l'un des matriaux de base des cellules solaires les plus performantes. L'avantage de ce matriau est qu'il permet d'ajuster la valeur du gap et des paramtres cristallographiques dans le but d'une part de se rapprocher de la valeur optimale du gap pour la conversion photovoltaque et d'autre part, d'assurer un meilleur accord de maille entre les deux matriaux dans une htrojonction.
- Format: Pocket/Paperback
- ISBN: 9783841664594
- Språk: Engelska
- Antal sidor: 108
- Utgivningsdatum: 2018-02-28
- Förlag: Omniscriptum