Makromodellierung parasitrer Substrateffekte von Bipolartransistoren einer BiCMOS-Technologie

Diplomarbeit aus dem Jahr 1996 im Fachbereich Elektrotechnik, Note: 1,3, Technische Universitt Darmstadt (Unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Einleitung:
Die vorliegende Arbeit behandelt die Modellierung und die Erklrung parasitrer Substrateffekte, wie sie bei lateralen Transistorstrukturen auftreten. Der Modellierung von lateralen Transistoren wurde schon einmal Ende der 60er Jahre groe Beachtung zuteil. Einhergehend mit den Bestrebungen hin zu immer kleineren Strukturen und einfachen Technologien wurden zahlreiche Untersuchungen zu diesem Thema vorgenommen. Die Abhandlungen zu dieser Zeit beschftigen sich denn auch meist mit prinzipiellen Beschreibungen der Funktionsweise der Lateralstrukturen im Hinblick auf Verbesserungen in ihrer Effektivitt. Mit dem Aufkommen der MOS sank auch das Interesse an Bipolartechnologien und damit auch an der Modellierung von lateralen pnp-Transistoren. Nachdem gerade in neuester Zeit neue Kombinationstechnologien entwickelt werden, in denen Analog- und Digitalfunktionen auf einem Chip realisiert werden sollen, den sogenannten BiCMOS-Technologien, kommen auch vermehrt wieder laterale Transistoren zum Einsatz. Ein Grund dafr ist, dass man bei der Integration von Bipolartransistoren in einer BiCMOS-Kombinationstechnologie aus Grnden der vereinfachten Prozessfhrung gezwungen ist, die Strukturen der Transistoren gegenber Standard-Bipolartechnologien zu modifizieren. Neben vernderten Dotierungskonzentrationen, Eindringtiefen oder Abschirmungsmanahmen ergeben sich vor allem im strukturellen Aufbau der Transistoren Vernderungen. Im Bipolarteil solcher BiCMOS-Prozesse werden deshalb die pnp-Transistoren meist in lateraler Form ausgefhrt. Darber hinaus findet eine Optimierung des Prozesses im Hinblick auf die npn-Transistoren statt, da mit ihnen naturgem effektivere Bauteile hergestellt werden knnen.
Ein groes Problem bei lateralen Transistoren ist zum einen das nicht mehr spezifische Transistorverhalten, w