bokomslag Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
Vetenskap & teknik

Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices

Yue Hao Jin Feng Zhang Jin Cheng Zhang

Inbunden

3529:-

Funktionen begränsas av dina webbläsarinställningar (t.ex. privat läge).

Uppskattad leveranstid 10-15 arbetsdagar

Fri frakt för medlemmar vid köp för minst 249:-

Andra format:

  • 392 sidor
  • 2016
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
  • Författare: Yue Hao, Jin Feng Zhang, Jin Cheng Zhang
  • Format: Inbunden
  • ISBN: 9781498745123
  • Språk: Engelska
  • Antal sidor: 392
  • Utgivningsdatum: 2016-10-03
  • Förlag: CRC Press Inc