Oberflchenanalyse von Si/SiGe-Schichten

Diplomarbeit aus dem Jahr 1998 im Fachbereich Physik - Technische Physik, Johannes Kepler Universitt Linz (Technisch-Naturwissenschaftliche Fakultt, Halbleiter- und Festkrperphysik), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Zusammenfassung:
In der vorliegenden Arbeit wurde ein Prozess entwickelt, der es erlaubt, die Versetzungsdichten in Si/SiGe Heterostrukturen zu bestimmen.
Dabei wurde im Besonderen Wert auf eine Einfhrung in die Untersuchungsmethoden der Oberflchenmorphologie von Nanostrukturen, mittels Atomkraft-, Rastertunnel-, und Polarisationsmikroskop, gelegt. Diese Arbeit soll fr Interessierte einen erleichterten Einstieg in die Nanostrukturierung, der Methodik und der Terminologie diese Gebietes bringen, um im Anschluss ohne Probleme weiterfhrende Literatur studieren zu knnen.
Es wird auch speziell auf die Physik von Versetzungen in Festkrpern eingegangen und deren Arten der Sichtbarmachung, dabei werden auch die Grundprinzipien der Chemie von tzverfahren fr Halbleiter besprochen.
Es wurden dabei zwei Verfahren zur Sichtbarmachung von Versetzungen untersucht. Im direkten Verfahren wurden die Proben, welche in der MBE-Anlage in Linz gewachsen wurden, direkt nach dem Wachstum unter das Atomkraftmikroskop gelegt. Dies sollte verhindern, dass sich strende Oxidschichten an der Oberflche bilden und das Scannen der Oberflche erschweren. Hierbei wurde auch der Einfluss eines Reinigungsschrittes, der aus H2SO4, HF und Methanol besteht, auf die Qualitt der Scans untersucht. Es wurde versucht, direkt Versetzungsspiralen sichtbar zu machen. Dies erwies sich aus verschiedenen Grnden als eine sehr schwierige Aufgabe, und es gelang nur, laterale mono- und doppelatomare Stufen aufzulsen.
Als indirektes Verfahren wurde ein Versetzungstzprozess auf der Basis von Cr(VI)O3 entwickelt. Diese Lsung tzt selektiv die Probenoberflche an den Stellen schneller an, an denen Fadenversetzungen die Oberflche durchstoen. Die Fadenversetzungsdichte kann hier mit Hi