Propri t s lectriques d''une Cellule Solaire

La dtermination modle des paramtres fondamentaux de la diode Schottk; savoir la hauteur de la barrire, le facteur d'idalit, et la rsistance srie joue un rle important dans la conception et la fabrication des dispositifs semi-conducteurs telles que les photopiles. Notre travail consiste extraire par une des mthodes volutionnaires ces paramtres modlisant les donnes exprimentales en utilisant les algorithmes gntiques (AG) qui connaissent actuellement un essor considrable dans le domaine de rsolution des problmes complexes d'optimisation, grce leur universalit, fiabilit et robustesse. Nous nous sommes particulirement concentrs sur le dveloppement d'un modle analytique optimis de la caractristiques I-V en fonction de la temprature en utilisant la technique volutionnaire AG. Le bon accord entre les rsultats exprimentaux et les rsultats obtenus par notre approche a montr l'applicabilit des AGs mettre en vidence certains paramtres physiques critiques des cellules photovoltaques pour une large gamme de tempratures.