Propriedades Electrnicas e Dielctricas do Grafeno e do xido de Grafeno

Este trabalho estabelece que as propriedades eletrnicas e dieltricas dependentes da freqncia e temperatura do grafeno reduzido eletroquimicamente (ERGO) so superiores aos papis de xido de grafeno (GO) em 2 ordens de grandeza. H uma polarizao mais forte como resultado do aumento da concentrao de grupos reduzidos e do desbaste de folhas de grafeno em papis ERGO, o primeiro papel reduzido eletroquimicamente a partir de GO. Em GO, h uma maior dependncia de frequncia devido a uma maior percentagem de ttulos O-H entre camadas. A permissividade dielctrica aumenta com a diminuio da frequncia devido a uma polarizao mais forte e a perdas de conduo reduzidas. Em frequncias muito altas, maiores perdas de condutibilidade so responsveis por menores valores de permissividade dieltrica dos papis ERGO em comparao com os papis GO. O perfil de condutividade dependente da temperatura foi devido ao transporte termicamente ativado, tempo de residncia e disperso inica dos portadores de carga. A recuperao das propriedades condutoras e dieltricas a temperaturas mais elevadas deveu-se transio de um sistema multi-nano-capacitor dieltrico de grafite-ion-cluvem para um sistema multi-nano-capacitor de grafite-ar.