SOI nMOSFET Canal DELTA - Corrente de fuga em altas temperaturas

O emprego de circuitos em altas temperaturas representa um dos maiores problemas para a utilizao da tecnologia MOS convencional, devido excessiva elevao da corrente de fuga nas junes, que aumenta a potncia dissipada durante o desligamento dos transistores e provoca a degradao da tenso de limiar nestes dispositivos. Sob este aspecto, h relatos mostrando que a tecnologia SOI apresenta-se como uma excelente alternativa tecnologia MOS convencional, devido significativa reduo da corrente de fuga das junes e da menor variao da tenso de limiar com a temperatura. Este trabalho investiga o comportamento do SOI nMOSFET de canal totalmente depletados, submetidos a temperaturas que variam desde a ambiente at 300C, dando um enfoque especial para o estudo do comportamento das correntes de fuga em funo da temperatura, sendo assim, realizou-se uma srie de simulaes numricas tridimensionais variando-se as dimenses geomtricas dos dispositivos, Isto , a largura do canal (W) e o comprimento (L), para verificar qual o comportamento eltrico demonstrado por estes transistores quando operando em tais condies.