Synth se de Nanoparticules de GE Et de Si Par Ablation Laser

La r duction des dimensions des mat riaux jusqu' une taille nanom trique modifie leurs propri t?'s fonctionnelles et ouvre de nouvelles voies pour le design et la fabrication de nouveaux dispositifs. En particulier, les semi-conducteurs nanom triques occupent une place importante dans le d veloppement de nouvelles technologies en micro- et opto lectronique. Ce travail est consacr la synth se et aux propri t?'s optiques des nanostructures semi-conductrices du groupe IV, telles que les nanoparticules de Si et de Ge. Nous avons tudi de mani re fondamentale les m canismes r gissant la synth se de nanoparticules de Si et de Ge par ablation laser et la photoluminescence de ces nanomat riaux. Deux approches de synth se sont utilis es, savoir le d p t sous atmosph re inerte (h lium) et r active (oxyg ne). Dans la premi re partie, nous avons tudi les m canismes de formation de nanoparticules par ablation laser sous atmosph re inerte. La deuxi me partie utilise, pour la premi re fois, l'approche de l'ablation laser sous atmosph re r active pour la synth se de nanoparticules de Ge et de Si encastr es dans une matrice d'oxyde.