Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstarkern fur den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich

Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstrkern fr den Frequenzbereich von 200 bis ber 250 GHz. Dafr sind verlssliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz besttigt. Es wird ein Verstrkerkonzept erarbeitet, das mageschneidert fr den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verstrker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung ermglicht.