Transport Sous Contrainte Me Canique Pour La Micro lectronique CMOS

La course la miniaturisation des transistors MOS implique de nouvelles technologies d'amlioration des performances. L'ingnierie de contrainte mcanique est aujourd'hui devenue une tape incontournable. Les objectifs de ce travail sont de modliser les dispositifs des prochains nuds technologiques et de quantifier l'impact de la contrainte mcanique. La mobilit est le facteur exploit pour quantifier les performances et l'un des paramtres cls des simulateurs commerciaux. Ici, le concept de mobilit effective et de mobilit de magntorsistance dans les MOS courts est analys et le rle prpondrant des effets non stationnaires est identifi et quantifi par des modles avancs. Grce au simulateur Monte Carlo MONACO, l'influence de la contrainte sur la structure de bandes et ses rpercussions sur le transport sont tudies. En bande de valence, la mobilit reste reprsentative des performances. L'impact de la contrainte sur la mobilit des trous est tudie par le biais d'expriences de flexion mcanique. Grce des calculs de mobilit Kubo-Greenwood, les tendances sont expliques par les forts couplages existants entre les effets de contrainte et de confinement des trous.