tude et modlisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille

tude et modlisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille ddi la conception Nous proposons un modle compact du transistor MOS double-grille silicium sur isolant (SOI) en mode de fonctionnement symtrique. Le modle est bas sur le formalisme EKV et offre les caractristiques suivantes : une expression analytique simple dcrivant le comportement statique et dynamique du dispositif, des relations directes entre charges- tensions et tensions-courant, une mthode de calcul numrique robuste et rapide, une implmentation aise du modle dans un langage de haut niveau tel que VHDL-AMS permettant ainsi une simulation rapide et prcise des caractristiques lectriques. Le modle prend en compte non seulement les effets de petites gomtries tels que l'abaissement de la barrire de potentiel induit par le drain, le partage de charge, la dgradation de la pente sous le seuil ainsi que la rduction de la mobilit des porteurs, mais galement les effets dynamiques extrinsques. Il a t valid pour des dispositifs de longueur de canal de 60nm. Sa validation a t effectue par comparaison de ses rsultats avec ceux obtenus sur le simulateur de composants Atlas/SILVACO.