Analyse Et Optimisation de Transistors Pour Amplification de Puissance

L'amlioration permanente des transistors effet de champ, en terme de frquence, puissance ou rendement, conduit ces composants remplacer progressivement les tubes vides dans les amplificateurs hyperfrquence. Une mthode de caractrisation spcifiques en statique et en hyperfrquence petit signal des transistors effet de champ millimtriques en vue d'une utilisation en puissance est prsente. Des analyses sont effectues afin de dterminer les principales limitations de ces composants associs des propositions d'amliorations. L'tude se poursuit avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du dveloppement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un systme automatis de mesures grand signal dans la bande Ka l'aide d'un banc charge active permettant d'avoir accs toutes les grandeurs caractristiques est dvelopp. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amlioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modles non linaires utiliss pour la conception de circuits hybrides et monolithiques.