CV-Messungen an getzten epitaktisch gewachsenen Schichten

Diplomarbeit aus dem Jahr 1999 im Fachbereich Physik - Angewandte Physik, Note: 3,0, Universitt Hamburg (Unbekannt, Angewandte Physik), Veranstaltung: Zentrum fr Mikrostrukturforschung, Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Einleitung:
In der heutigen Zeit werden in immer mehr Gerten Halbleiterbauelemente eingesetzt. Unter der Zielsetzung, mglichst viele Strukturen auf einer Flche unterzubringen, haben sich tztechniken zu einem der wichtigsten Werkzeuge bei der Herstellung von Halbleiter-Mikrostrukturen entwickelt.
Jede Weiterentwicklung der tztechnik erlaubt die genauere Kontrolle der tzrate, der Selektivitt, der Flankensteilheit, der immer besseren Reproduzierbarkeit des tzvorganges und dergleichen mehr. Jede tztechnik schdigt aber auch den zu tzenden Halbleiterkristall. So ist die Auswahl einer tztechnik ein Abwgen der Vorteile und Nachteile.
Dabei zeigt sich, da trotz der mehr als fnfzigjhrigen Forschung ber Halbleiter bzw. Halbleiterbauelemente auch heute noch neue Erkentnisse in diesem Bereich gewonnen werden. Ebenso mssen die vorhandenen physikalischen Modelle fr die neuen Anforderungen und Techniken angepat oder erweitert werden.
Mit der zunehmenden Nutzung der in den siebziger Jahren entwickelten epitaktischen Herstellungsverfahren fr Halbleiter, wie der Molekularstrahlepitaxie (MBE) und der Metall-Organischen Gasphasenepitaxie (MOCVD), ist es heute mglich, Halbleiter-Heterostrukturen aus dem Gallium-Arsenid/Aluminium-Gallium-Arsenid-Materialsystem herzustellen. Solche Strukturen finden heute ihren Nutzen in der Herstellung von schnellen Bauteilen, wie sie in der Nachrichten- und Optoelektronik verwendet werden.
Diese Diplomarbeit im Rahmen eines BMBF-Projektes 1 am Mikrostrukturzentrum der Universitt Hamburg untersucht die durch einen LAIBE-Proze verursachte Schdigung eines GaAs-Halbleiters. Ziel ist es die Art und Tiefe der Schden in Abhngigkeit von verschiedenen Parametern des CAIBE-Prozesses zu untersuchen.
Die tzung fi