Die elektronische Struktur der As-bedeckten GaAs(111)-Oberflche

Diplomarbeit aus dem Jahr 1993 im Fachbereich Physik - Technische Physik, Note: 1,3, Friedrich-Alexander-Universitt Erlangen-Nrnberg (Unbekannt), Sprache: Deutsch, Abstract: Inhaltsangabe:Problemstellung:
In den letzten Jahren wurden die polaren Oberflchen von III-V-Halbleitern in zunehmendem Mae mit Molekularstrahlepitaxie (MBE=molecular beam epitaxy) hergestellt. Die so erhaltenen, sauberen, Oberflchen mssen beim Transport durch die Atmosphre vor Verunreinigungen und Oxidation geschtzt werden. Dazu wurde von Kowalczyk et al. [1] die Technik entwickelt, die Proben vor dem Ausbau aus der MBE-Kammer mit einem dicken Film elementaren As zu passivieren. Fr die weitere Anwendung oder Untersuchung der Probe kann die As-Schutzschicht dann durch Heizen der Probe entfernt werden. Whrend des Abheizprozesses knnen sich verschiedene Phasen der Oberflche ausbilden, die sich in ihrer Struktur, ihrer chemischen Zusammensetzung und ihren elektronischen Eigenschaften unterscheiden. Will man an der Probe dann oberflchensensitive Experimente, beispielsweise Photoelektronenholographie [2], durchfhren oder die technologisch bedeutsame Ausbildung von Schottky-Barrieren nach Metall-Deposition (3, 4] untersuchen, so ist aus den genannten Grnden eine genaue Kenntnis des Abheizprozesses wnschenswert. Die Untersuchung des Abheizprozesses und der dabei erhaltenen Oberflchen hat sich in der Vergangenheit in erster Linie auf die GaAs(100)-Oberflche und ihre unterschiedlichen Rekonstruktionen beschrnkt [31-(8). In dieser Arbeit wird das Abheizen einer As-Schutzschicht von einer GaAs(111)-Oberflche untersucht. Die Charakterisierung der durch das Abheizen erhaltenen Oberflchen erfolgt dabei mittels winkelaufgelster Photoemission. Auch wird versucht, die Mglichkeiten der winkelaufgelsten Photoemission in Verbindung mit Synchrotronstrahlung zur Bestimmung der Valenzbandstruktur zu nutzen. Im ersten Kapitel dieser Arbeit werden daher zunchst die Grundlagen der Photoemission s