Effet Du Faible D bit de Dose Sur Les Technologies Bipolaires

Les technologies bipolaires jouent des rles primordiaux dans les systmes spatiaux soumis des conditions radiatives. Dans un environnement ionisant, le courant de base des transistors bipolaires augmente et le gain en courant diminue. Pour une mme dose totale, de nombreuses technologies bipolaires se dgradent plus faible dbit de dose qu' fort dbit ce qui pose un problme au niveau du durcissement. Des mthodes de prdiction de la rponse faible dbit de dose, telles que les irradiations en tempratures, ont donnes des rsultats prometteurs pour l'identification de technologies montrant une augmentation de la dgradation faible dbit de dose. Cependant, aucun test s'appliquant toutes les technologies bipolaires n'a t identifi. En se basant sur un travail exprimental, une explication physique des phnomnes se produisant au cours d'irradiations tempratures leves a t donne et un modle de dgradation a t dvelopp. A partir de l'observation des rsultats obtenus, une nouvelle approche du test de composants est propose. Cette approche est base sur la commutation d'un fort dbit de dose vers un faible dbit.