Mod lisation Du Transistor Mosfet Nanom trique

La voie de l'int gration emprunt e par les constructeurs a cr une volution du proc d et de la physique des transistors. A une chelle submicronique, la d gradation de la performance des transistors, devient un obstacle majeur l'int gration. Les transistors multi grille peuvent tre potentiellement consid r?'s comme une solution ce probl me. Dans cet axe, ce livre traite des performances des structures multi grille, et d crit l' volution de la mod lisation des transistors MOSFET au fil des avanc es technologiques et physiques. Une synth se nous a permit de choisir la structure la plus performante et le type de mod lisation le plus avantageux, une structure verticale grille cylindrique (VSG) dopage graduel incluant une couche haute permittivit (high- ), mod lis e analytiquement en r gime de sous seuil. La fiabilit du mod le d riv est discut e en s'appuyant sur les r sultats de simulations num riques obtenus l'aide du progiciel ATLAS.