tude Par Microscopie Force Atomique

Ce travail de thse s'inscrit dans le contexte de miniaturisation des transistors MOS afin de mener la technologie CMOS ces dimensions ultimes. Avec les techniques actuelles de fabrication et pour des longueurs de grille de transistor infrieures 30nm, les variations moyennes de la longueur de grille, appeles rugosit de bord, entranent des fluctuations lectriques dans le transistor inacceptables pour le bon fonctionnement des futures gnrations de dispositifs. Il convient donc de contrler ce paramtre afin de le rduire. Pour russir ce dfi technologique, il est essentiel de le mesurer avec prcision afin, par la suite, de comprendre ses origines et son volution aprs chaque tape technologique de fabrication. Dans ce travail de thse, nous nous sommes intresss la mesure la rugosit de bord, l'aide d'un nouvel quipement de mtrologie: le microscope force atomique en trois dimensions. Nous avons valu les capacits de cet outil et dtermin un protocole de mesure de la rugosit de bord, qui nous a permis ensuite d'tudier ses origines et d'tudier son volution lors des diffrentes tapes technologiques de fabrication d'une grille de transistors MOS.