Irradiao de electres MeV de Si heteroestruturas

Foi estudada a gerao de defeitos de irradiao por irradiao electrnica MeV de alta energia de estrutura Si-SiO2 do tipo n e p com diferentes tipos de xidos. As alteraes morfolgicas do xido de SiO2 durante a irradiao dos electres do MeV foram observadas pela AFM. As estruturas de Si+ ies implantadas de Si-SiO2 antes e depois da irradiao dos electres MeV so apresentadas. A redistribuio dos tomos de oxignio e silcio e a gerao de nanocristais de Si durante a irradiao dos electres MeV foi observada pelas tcnicas RBS/C e AFM, respectivamente. As propriedades pticas, a fotoluminescncia e os estudos espectroscpicos das pelculas de SiOx irradiadas com electres MeV so tambm realizados.