Vetenskap & teknik
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MeV-Elektronenbestrahlung von Si-Heterostrukturen
Sonia Kaschieva • Sergey N Dmitriev
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Die Erzeugung von Strahlungsdefekten durch hochenergetische MeV-Elektronenbestrahlung von n- und p-Typ Si-SiO2-Strukturen mit verschiedenen Arten von Oxiden wurde untersucht. Die Morphologienderungen des SiO2-Oxids whrend der MeV-Elektronenbestrahlung wurden mittels AFM beobachtet. Es werden Si+-Ionen-implantierte Si-SiO2-Strukturen vor und nach MeV-Elektronenbestrahlung vorgestellt. Die Umverteilung von Sauerstoff- und Silizium-Atomen und die Erzeugung von Si-Nanokristallen whrend der MeV-Elektronenbestrahlung wurde mit RBS/C- bzw. AFM-Techniken beobachtet. Optische Eigenschaften, Photolumineszenz und spektroskopische Untersuchungen von SiOx-Filmen, die mit MeV-Elektronen bestrahlt wurden, werden ebenfalls durchgefhrt.
- Format: Pocket/Paperback
- ISBN: 9786200995711
- Språk: Engelska
- Antal sidor: 180
- Utgivningsdatum: 2020-05-21
- Förlag: Verlag Unser Wissen