Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si

Badano generowanie defektu radiacyjnego przez napromieniowanie elektronami MeV o wysokiej energii struktury n- i p- typu Si-SiO2 rnymi rodzajami tlenkw. Zmiany morfologiczne tlenku Si-SiO2 podczas napromieniania elektronami MeV obserwowano za pomoc AFM. Przedstawiono zaimplantowane struktury Si-SiO2 z jonu Si+ przed i po nawietlaniu elektronami MeV. Redystrybucj atomw tlenu i krzemu oraz generacj nanokrysztaw Si podczas napromieniania elektronw MeV obserwowano odpowiednio za pomoc technik RBS/C i AFM. Przeprowadzono rwnie badania waciwoci optycznych, fotoluminescencji i spektroskopowe nawietlanych elektronami MeV folii SiOx.