bokomslag Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
Vetenskap & teknik

Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design

Koichiro Ishibashi Kenichi Osada

Inbunden

1499:-

Funktionen begränsas av dina webbläsarinställningar (t.ex. privat läge).

Uppskattad leveranstid 7-12 arbetsdagar

Fri frakt för medlemmar vid köp för minst 249:-

Andra format:

  • 144 sidor
  • 2011
Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.
  • Författare: Koichiro Ishibashi, Kenichi Osada
  • Illustratör: 100 schwarz-weiße Abbildungen
  • Format: Inbunden
  • ISBN: 9783642195679
  • Språk: Engelska
  • Antal sidor: 144
  • Utgivningsdatum: 2011-08-18
  • Förlag: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K